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电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响
本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影......
期刊
绝缘体上硅
部分耗尽
电离辐射
低频噪声
silicon on insulator
partially depleted
ionizing radiatio
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